Showing 25 of 128 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ246(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ246(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243(0)-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243(0)-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ2403-000111F
Singatron Enterprises Co
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1 | 4 Pole(s), Solder Terminal, Jack | 2SJ2403-000111F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ245(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ245(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ241
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ245(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ245(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ244JYTR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ244JYTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ245(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ245(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ242L
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ242L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ246(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ246(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ246(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ246(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ245(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ245(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243(0)-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243(0)-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ246(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ246(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ243-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ243-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ241SMTE24R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ241SMTE24R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ248
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ248 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ246L
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,7A I(D),TO-251AA | 2SJ246L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ244JYUL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ244JYUL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ241TE24R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ241TE24R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ245(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ245(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||