Showing 19 of 44 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SJ297(S)TR
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ297(S)TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ297L
Renesas Electronics Corporation
|
1 | 20A, 60V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ297L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ292
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ292 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ295-E
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ295-E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ296(S)
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ296(S) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ293
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ293 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ297S
Hitachi Ltd
|
1 | 20A, 60V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ297S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ296L-E
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ296L-E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ292-E
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ292-E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ296(S)
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ296(S) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ292
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ292 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ296(L)
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ296(L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ299S
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ299S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ297L
Hitachi Ltd
|
1 | 20A, 60V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ297L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ295
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ295 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ294
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ294 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ297(S)TL
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ297(S)TL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ296L
Renesas Electronics Corporation
|
1 | 15A, 60V, 0.15ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ296L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ297(S)TL
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ297(S)TL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||