Showing 25 of 113 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ303-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ303-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305(T5LPIC,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ305(T5LPIC,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ3061-018111F
Singatron Enterprises Co
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1 | 5 Pole(s), Solder Terminal, Jack | 2SJ3061-018111F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ307-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ307-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-Z-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302-Z-E2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-Z-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302-Z-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ307-RB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ307-RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ304
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ304 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ303-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ303-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-Z
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-YB
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-YB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305TE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | 2SJ305TE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ307-YB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ307-YB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ3080-032111F
Singatron Enterprises Co
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1 | 3.5mm Audio | 2SJ3080-032111F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-Z-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302-Z-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-RB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302(0)-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ306-RB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ306-RB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305(T5LCK,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SJ305(T5LCK,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ306-YB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ306-YB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,200MA I(D),SC-59 | 2SJ305(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||