Showing 25 of 1430 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ333(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-Y(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338-Y(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | 2SJ338-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 2SJ332(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | 7 A, 30 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ333(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 4 PIN | 2SJ337TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ336-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 2A, 12V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ336-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 8A, 12V, 0.15ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 | 2SJ337TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338TE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, 5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SJ338TE16L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ331-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ331-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ332(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-Y(TE16R1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 | 2SJ338-Y(TE16R1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ333(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 2SJ333(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333S
Hitachi Ltd
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1 | 7A, 30V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ333S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-Y(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338-Y(2-7B2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 7A, 30V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ333S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ339-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SJ339-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-Y(TE16R1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 | 2SJ338-Y(TE16R1) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338(2-7B2B) |
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2SJ330-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ330-AZ |
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2SJ338O(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 | 2SJ338O(SM) |
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