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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(L)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ382-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ382-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ383-TR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SJ383-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388(S)
Hitachi Ltd
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1 | 0.2ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ388(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387L
Hitachi Ltd
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1 | 10A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ387L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.2 ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ388(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ388(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ384(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ386TZ-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ386TZ-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ383TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 8A, 12V, 0.144ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 | 2SJ383TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ386
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ386 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ388L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ383TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ383TP-FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ383-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.144ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ383-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(S)
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ384(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ384(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ381-TD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SJ381-TD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ384(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ382TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 4A, 12V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 | 2SJ382TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ382
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ382 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||