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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408L
Hitachi Ltd
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1 | 50A, 60V, 0.028ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HDPAK-3 | 2SJ408L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ408(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ400DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ400DR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ408(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401(TO-220SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401(TO-220SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ404
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401(TO-220FL)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401(TO-220FL) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ407
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ407 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ408(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ400SMP-FD
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ400SMP-FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ404
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.8ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ402(2-10S2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ402(2-10S2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ400-DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 35A, 30V, 0.055ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ400-DR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ402(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ402(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ407(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ407(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ403
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ403 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ400DL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ400DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ405
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ405 |
0
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