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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527S-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527S-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ520(TP-FA)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ520(TP-FA) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(L)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37ohm, DPAK-3 | 2SJ528(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.37ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ520(TP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 3 PIN | 2SJ520(TP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37ohm, DPAK-3 | 2SJ528(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm | 2SJ527(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(L)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(L)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.37ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ528(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ526-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ526-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 60V, 0.24ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ529(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(L)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8ohm | 2SJ527(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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