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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ542
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ542 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ544-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ544-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ546-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ546-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.23ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ549(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ548
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ548 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ543
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ543 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549S-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549S-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ546
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ546 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ548
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ548 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ543
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ543 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ543-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ543-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||