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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ649
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ649 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ643FA
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ643FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ645(TP-FA)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ645(TP-FA) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ647
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ647 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ648
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ648 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ649(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ649(0)-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ647-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ647-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ647-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ647-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ647
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ647 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ648-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ648-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ643
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ643 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ648-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ648-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ647-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ647-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ648-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ648-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ643TP
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ643TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ647-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ647-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ645(TP)
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ645(TP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ645-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ645-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TM2SJ64EPN-10
Texas Instruments
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1 | Synchronous DRAM Module, 2MX64, 7.5ns, CMOS | TM2SJ64EPN-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TM2SJ64EPU-12
Texas Instruments
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1 | Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS | TM2SJ64EPU-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TM2SJ64EPU-12A
Texas Instruments
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1 | Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS | TM2SJ64EPU-12A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TM2SJ64EPN-12
Texas Instruments
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1 | Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8ns, CMOS | TM2SJ64EPN-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||