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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2332
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | 2SK2332 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2379-YB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2379-YB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2314
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2314 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2378
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2378 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2334(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2334(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2315TYUR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2315TYUR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2303
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2372
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2372 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK238-LK16
NEC Electronics America Inc
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, PLASTIC, SC-59, 3 PIN | 2SK238-LK16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2395F
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK2395F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK238-K16
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK238-K16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2356
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2356 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2373ZE-UR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2373ZE-UR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2369
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 450V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2369 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2373ZE-01
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2373ZE-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2315
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2315 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2370-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2370-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2302T114
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2302T114 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2367-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2367-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2334(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2334(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2378-RB
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2378-RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2311TE24L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2311TE24L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2329(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2329(S)-(2) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2390
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2390 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2329(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.06ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SK2329(S) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||