Showing 25 of 281 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2890-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2890-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2857-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2857-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2857-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2857-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2881
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK2881 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2899-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2899-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2869S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2869S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2845(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 900V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2845(2-7B2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2832-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.02ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2832-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2884(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SK2884(TE24L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2828
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2828 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2894-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2894-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2846(TP,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2846(TP,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2839
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2839 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2819-4061
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2819-4061 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2885(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2885(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2826-S-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 2SK2826-S-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2872-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2872-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2857
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2857 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2865(TE16L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2865(TE16L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2802ZV-UR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2802ZV-UR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2857C-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2857C-T1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2884(TO-220FL)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2884(TO-220FL) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SK2883(TE24L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2880A
Isahaya Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2880A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2841(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2841(F) |
0
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