Showing 25 of 552 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3426G
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00046A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3426G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3412-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3412-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3461L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3461L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3403(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SK3403(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3483
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | 2SK3483 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3435-ZJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SK3435-ZJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3483-Z
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 2SK3483-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3434(0)-S-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3434(0)-S-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3492-TL
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3492-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3434(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3434(0)-Z-E2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3430-S-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3430-S-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3434
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3434 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3472(TE16L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3472(TE16L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3433-ZJ-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SK3433-ZJ-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3479-ZJ-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SK3479-ZJ-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3458-ZJ-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3458-ZJ-E2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3483-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3483-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3430(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3430(0)-Z-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3434-Z-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3434-Z-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3462(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3462(2-7J1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3402-Z-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB | 2SK3402-Z-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3414LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3414LS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3491-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3491-TL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3444
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3444 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3492(TP-FA)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3492(TP-FA) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||