Showing 25 of 377 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2466
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2466 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2499-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2499-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2409-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2409-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2446-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2446-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2438
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2438 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2446-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2446-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2412
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2412 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2411
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2411 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2401(2-10S2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2401(2-10S2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2425
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2425 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2414-Z-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2414-Z-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2422
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2422 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2499-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2499-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2498
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220 | 2SK2498 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK242-2-TA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 | 2SK242-2-TA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2426
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2426 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2491
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 180V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2491 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2476-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220 | 2SK2476-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK242-17-TB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 | 2SK242-17-TB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2414-Z-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2414-Z-E2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2467-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2467-Y |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2434
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2434 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246-BL
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2SK246-BL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2479-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2479-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2415-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AB | 2SK2415-AZ |
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