Showing 25 of 56 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-B-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60G-B-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60G-TC2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-MH-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | 3N60G-MH-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60G-TC2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TA-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60G-TA-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-CBS-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60G-CBS-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-CBQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60G-CBQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-A-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60G-A-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-CBQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60G-CBQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TC2-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60G-TC2-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-A-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60G-A-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60G-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-A-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60G-A-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60G-HC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60G-HC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CR1213N60G4F2
ITT Power Solutions Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 60400000000ohm, 10000V, 1% +/-Tol, 1000ppm/Cel, | CR1213N60G4F2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CR1213N60G4F3
ITT Power Solutions Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 60400000000ohm, 10000V, 1% +/-Tol, 1000ppm/Cel, | CR1213N60G4F3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F3N60G-LC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F3N60G-LC-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMU03N60G
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FMU03N60G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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03N60G-KW-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 03N60G-KW-T92-K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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03N60G-KW-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 03N60G-KW-T92-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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03N60G-CB-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 03N60G-CB-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C0603C-3N60G1T4
API Delevan
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1 | General Purpose Inductor, 0.0036uH, 2%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0603 | C0603C-3N60G1T4 |
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