Showing 25 of 53 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-B-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-B-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-HC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-HC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-A-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-A-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-CBQ-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBS-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-CBS-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBS-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-CBS-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBQ-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-CBQ-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-LC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-LC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-B-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-B-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TA-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-TC2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-A-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-A-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-B-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-B-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TC2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-A-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-A-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-MH-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | 3N60L-MH-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-A-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-A-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGD3N60LSDTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | FGD3N60LSDTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGD3N60LSDTM-SB82154
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | FGD3N60LSDTM-SB82154 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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03N60L-CB-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 03N60L-CB-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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03N60L-KW-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 03N60L-KW-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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03N60L-KW-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 03N60L-KW-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGD3N60LSDTM-T
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | FGD3N60LSDTM-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F3N60L-LC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F3N60L-LC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||