Showing 25 of 107 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-N-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65G-N-TQ2-T |
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4N65G-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 4N65G-T2Q-T |
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4N65G-N-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-N-TN3-R |
0
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4N65G-Q-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65G-Q-TQ2-T |
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4N65G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-TA3-T |
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4N65G-Q-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65G-Q-TQ2-R |
0
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4N65G-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-TMS4-T |
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4N65G-N-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-N-TMS-T |
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4N65G-Q-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 4N65G-Q-T2Q-T |
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4N65G-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-CQ-TF1-T |
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4N65G-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-TC2-TM3-T |
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4N65G-TC3-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-TC3-TF3-T |
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4N65G-TC3-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-TC3-TM3-T |
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4N65G-Q-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-Q-TM3-T |
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4N65G-CBQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-CBQ-TA3-T |
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4N65G-ML-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-ML-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-S-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-S-TN3-T |
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4N65G-S-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-S-TF1-T |
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4N65G-TA5-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-TA5-TM3-T |
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4N65G-ML-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-ML-TF1-T |
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4N65G-E-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-E-TND-R |
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4N65G-TC3-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-TC3-TF1-T |
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4N65G-TC3-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-TC3-TND-R |
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4N65G-Q-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65G-Q-K08-5060-R |
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4N65G-S-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65G-S-K08-5060-R |
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