Showing 25 of 52 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60L-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-A-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N60L-A-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60L-CQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-B-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N60L-B-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60L-TC2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60L-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60L-HC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60L-CBQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60L-CBQ-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 05N60L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UGP15N60L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | UGP15N60L-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N60L-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 15N60L-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPG25N60L-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | UPG25N60L-T47-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N60L-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N60L-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM75N60LD
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor | RM75N60LD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AOT5N60L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AOT5N60L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGP5N60LS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | FGP5N60LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UGP15N60L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | UGP15N60L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGP5N60LS
onsemi
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1 | IGBT Field Stop 600 V 10 A 83 W Through Hole TO-220-3 | FGP5N60LS |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 05N60L-CB-T92-K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP15N60L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP15N60L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N60L-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N60L-MT-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP15N60LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP15N60LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 05N60L-CB-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N60L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N60L-TF2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||