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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N65G-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-HC-TMN2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N65G-HC-TMN2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-TF3T-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TC2-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 5N65G-TC2-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-CQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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25N65G-CB-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | 25N65G-CB-T47-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-MT-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65G-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N65G-TA-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 05N65G-TA-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N65G-TA-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 05N65G-TA-AA3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N65G-TA-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 05N65G-TA-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65G-MT-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTG5N65G-S-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | UTG5N65G-S-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTG5N65G-S-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | UTG5N65G-S-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTG35N65G-S-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | UTG35N65G-S-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15N65G-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N65G-CB-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 05N65G-CB-T92-K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N65G-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N65G-MT-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCKZ75N65GH2
VANGUARD
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1 | 650V 75A IGBT with Trench-FS technology, low VCEsat, integrated SiC diode, TO-247-4L package, suitable for high-frequency switching applications. | HCKZ75N65GH2 |
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UTG25N65G-S-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | UTG25N65G-S-T3P-T |
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15N65G-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 15N65G-T47-T |
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