Showing 25 of 1811 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
6116LA55TDB
Renesas Electronics
|
1 | The 6116 5V CMOS SRAM is organized as 2K x 8. The 6116 offers a reduced power standby mode.The low-power (LA) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 1μW to 4μW operating off a 2V battery. All inputs and outputs are TTL-compatible. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available. | Ceramic Dual-In-Line Packages | 6116LA55TDB |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA20TPG
Renesas Electronics
|
1 | The 6116 5V CMOS SRAM is organized as 2K x 8. The 6116 offers a reduced power standby mode.The low-power (LA) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 1μW to 4μW operating off a 2V battery. All inputs and outputs are TTL-compatible. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available. | Dual-In-Line Packages | 6116LA20TPG |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA20TDB
Renesas Electronics
|
1 | The 6116 5V CMOS SRAM is organized as 2K x 8. The 6116 offers a reduced power standby mode.The low-power (LA) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 1μW to 4μW operating off a 2V battery. All inputs and outputs are TTL-compatible. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available. | Ceramic Dual-In-Line Packages | 6116LA20TDB |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
95736-116LF
Amphenol
|
1 | FFC & FPC Connectors 16P SINGLE ROW HDR R/ANGLE POLARIZED | Header, Shrouded - Right Angle PTH Box | 95736-116LF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IDT6116LA25SOGI
Renesas Electronics
|
1 | SRAM Asynch 16K 2Kx8 25ns 5V SOIC24 IDT IDT6116LA25SOGI SRAM Memory, 16kbit, 4.5 → 5.5 V, 25ns 24-Pin SOIC | Small Outline Packages | IDT6116LA25SOGI |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ
onsemi
|
1 | HBM ESD protection level >3 KV typical; RoHS Compliant; Maximum RDS(on) = 153 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A; 100% UIL Tested; Maximum RDS(on) = 103 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.3 A | Other | FDMC86116LZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
89006-116LF
Amphenol Communications Solutions
|
1 | Metral® Board Connectors, Backplane Connectors, 5 Row Signal Header, Straight, Press-Fit, Wide body. | Other | 89006-116LF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116L55T
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24 | 6116L55T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA20YI
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Application Specific SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 | 6116LA20YI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116L90L32I
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32 | 6116L90L32I |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA55L32
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC32 | 6116LA55L32 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA35FB
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDFP24 | 6116LA35FB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA70L32
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC32 | 6116LA70L32 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116L55L32B
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC32 | 6116L55L32B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116L150L28B
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28 | 6116L150L28B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA90TD
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24 | 6116LA90TD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116L120DI
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24 | 6116L120DI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA20Y8
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 | 6116LA20Y8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA45TPI
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Application Specific SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24 | 6116LA45TPI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA25YGI8
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24 | 6116LA25YGI8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA90L24B
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC24 | 6116LA90L24B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA30P
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PDIP24 | 6116LA30P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA30FB
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CDFP24 | 6116LA30FB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116L70DI
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP24 | 6116L70DI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6116LA35SOI
Integrated Device Technology Inc
|
1 | Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | 6116LA35SOI |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||