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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL17N50LPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBL17N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP17N50LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP17N50LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFB17N50LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFB17N50LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFB17N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFB17N50L |
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F7N50L-ML-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | F7N50L-ML-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMB-JE17N-50-LF
Morethanall Co Ltd
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1 | RF SMB Connector, 1 Contact(s), Male, Board Mount, Surface Mount Terminal, Locking, Plug | SMB-JE17N-50-LF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFC17N50LB
Vishay Dale
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1 | MOSFET N-CHANNEL 500V - Bulk | IRFC17N50LB |
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IRFB17N50LPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFB17N50LPBF |
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IRFBL17N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP17N50LSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP17N50LSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP17N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP17N50LPBF |
0
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IRFIB7N50LPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50LPBF |
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IRFBL17N50L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP17N50LPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP17N50LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFB17N50L
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFB17N50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFB17N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFB17N50LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP17N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP17N50L |
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IRFIB7N50LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50LPBF |
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IRFIB7N50LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50LPBF |
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IRFIB7N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB7N50L |
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