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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4509GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4509GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4506GEH
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP4506GEH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4506GEM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4506GEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4501AGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4501AGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4503AGM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4503AGM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4505LX-J90
ADDA USA Corporation
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1 | Fan/Blower | AP4505LX-J90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4503BGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4503BGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4501GD
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4501GD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4501GSD
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.027ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4501GSD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4501AGM
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N- and P-channel 30 V MOSFET in SO-8 package, featuring trench technology, 100% Rg and UIS tested, with low on-resistance down to 0.018 ohms for N-channel and 0.032 ohms for P-channel, suitable for motor drive and mobile power bank applications. | AP4501AGM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4503GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4503GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4501AGM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4501AGM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4501AGEM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | AP4501AGEM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4509AGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 30V, 0.01ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4509AGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4503GM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4503GM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4500GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4500GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4509GM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4509GM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4500GYT-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4500GYT-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4509AGH-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.01ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4509AGH-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4503AGEM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4503AGEM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4505LX-G90
ADDA USA Corporation
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1 | Fan/Blower | AP4505LX-G90 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XLE2865AP-450
Exel Microelectronics Inc
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1 | EEPROM, 8KX8, 450ns, Parallel, NMOS, PDIP28 | XLE2865AP-450 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C4DCMAP4500AA0K
KEMET Corporation
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 850V, 10% +Tol, 10% -Tol, 5uF | C4DCMAP4500AA0K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C4DCMAP4500AA0J
KEMET Corporation
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 850V, 5% +Tol, 5% -Tol, 5uF | C4DCMAP4500AA0J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XLS2816AP-450/E2
Exel Microelectronics Inc
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1 | EEPROM, 2KX8, 450ns, Parallel, MOS, PDIP24 | XLS2816AP-450/E2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||