Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120B
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GN120B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90SD15
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT35GA90SD15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 350V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT3565BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120BG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GP120BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 26A, 350V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT3520BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3507FN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3507FN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3520BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GL60BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT35GL60BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3555DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,12A I(D),CHIP / DIE | APT3555DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JD2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120JD2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M80DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT35M80DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3530AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,17A I(D),TO-3 | APT3530AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JDF2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120JDF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT3530BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 16A, 350V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT3540BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3580BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3520DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35G50BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel | APT35G50BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18.5A, 350V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3530BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2D2G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2D2G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT3530DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GP120B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2D2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2D2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||