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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M40LVFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT40M40LVFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4055CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4055CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4025BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 23A, 400V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4025BNR-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4012BVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 400V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT4012BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4020BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4020BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4030BNR-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4030BNR-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4020BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4020BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4025DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT4025DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206AR82GAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2% +Tol, 2% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00000082uF, Surface Mount, 1206 | 1206AR82GAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C271FAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 1% +Tol, 1% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00027uF, Surface Mount, 0805 | 0805C271FAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A1R2ZAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000012uF, Surface Mount, 1206 | 1206A1R2ZAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A1R0ZAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000001uF, Surface Mount, 1206 | 1206A1R0ZAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4016BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4016BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4014BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4014BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A390JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000039uF, Surface Mount, 1206 | 1206A390JAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A4R7GAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2% +Tol, 2% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000047uF, Surface Mount, 1206 | 1206A4R7GAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206AR82BAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 12.1951% +Tol, 12.1951% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00000082uF, Surface Mount, 1206 | 1206AR82BAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B43APT-47P-1
TE Connectivity
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1 | Circular Connector, 5 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | B43APT-47P-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C821MAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00082uF, Surface Mount, 0805 | 0805C821MAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GP60JDQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 86A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP60JDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4550BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT4550BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A3R3JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000033uF, Surface Mount, 1206 | 1206A3R3JAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C102FAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 1% +Tol, 1% -Tol, X7R, 15% TC, 0.001uF, Surface Mount, 0805 | 0805C102FAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STFAPT4.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4MHz Nom | FC4STFAPT4.0 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C391MAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00039uF, Surface Mount, 0805 | 0805C391MAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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