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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5570CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,9.5A I(D),TO-254ISO | APT5570CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5570AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5570AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT55M65L2FLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 550V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M65L2FLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5540BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5545BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5518BFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 550V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5518BFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5513B2FLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5513B2FLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R2BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,8A I(D),TO-247AD | APT551R2BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5560BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 13A, 550V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5560BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R3GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,5.5A I(D),TO-257ISO | APT551R3GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5545BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5550AN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5550AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5530DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5530DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5518BFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 550V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5518BFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R2AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R2AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5517DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5517DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5518BFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 550V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5518BFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5570BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 550V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5570BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5560BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5560BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5511EN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5511EN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5532CN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5532CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5540BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5560CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,10.5A I(D),TO-254ISO | APT5560CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5530CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT5530CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||