Showing 25 of 766 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT60GT60JRD
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES | APT60GT60JRD |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030SVFRG
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6030SVFRG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R2BN
Microsemi Corporation
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,8A I(D),TO-247AD | APT601R2BN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6010B2FLLE3
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, T-MAX, 3 PIN | APT6010B2FLLE3 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6025SVR
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6025SVR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030BVR
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT6030BVR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6017B2FLL
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | APT6017B2FLL |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6040BNR
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT6040BNR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DS10HJ
Microsemi Corporation
|
1 | Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 60A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT60DS10HJ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6017JFLL
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT6017JFLL |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6060BNR-GULLWING
Microsemi Corporation
|
1 | 13A, 600V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT6060BNR-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT60GF60JU3 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6045HN
Microsemi Corporation
|
1 | 15.5A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT6045HN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6040SVFR
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6040SVFR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030SN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6030SN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D60LCTG
Microsemi Corporation
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60D60LCTG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ120LCT
Microsemi Corporation
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT60DQ120LCT |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6010LFLLG
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT6010LFLLG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R6BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT601R6BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R6BN-GULLWING
Microsemi Corporation
|
1 | 6.5A, 600V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT601R6BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6013LFLLG
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT6013LFLLG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ100LCT
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT60DQ100LCT |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6040HN
Microsemi Corporation
|
1 | 16.5A, 600V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT6040HN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R2DN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT601R2DN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ120B
Microsemi Corporation
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, 2 PIN | APT60DQ120B |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||