Showing 25 of 265 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24LS-200P
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G24LS-200P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G09LS-400PW
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | BLF8G09LS-400PW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-150GVJ
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-150GVJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-270GVJ
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10LS-270GVJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-400PVJ
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-400PVJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-160BVX
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-160BVX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-260A,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-260A,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-160,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10LS-160,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-100GVJ
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-100GVJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-270GV
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G22LS-270GV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-270V,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-270V,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-150V
Ampleon
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | BLF8G27LS-150V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G09LS-270W
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G09LS-270W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G09LS-270WJ
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G09LS-270WJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-260A,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-260A,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-140
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G27LS-140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-400PGVQ
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-400PGVQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-270GV
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G10LS-270GV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-200V,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-200V,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-100V,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-100V,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-240U
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-240U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-140VX
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-140VX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24L-200P
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G24L-200P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-140V
Ampleon
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | BLF8G20LS-140V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10L-160,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10L-160,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||