Showing 25 of 522 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N02KS G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | Other | BSC019N02KS G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC018N04LS G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC018N04LS G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC016N03LSGXT
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC016N03LSGXT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC011N03LSIXT
Infineon
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0 | MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS | Other | BSC011N03LSIXT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC010N04LSTATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC010N04LSTATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC016N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC010N04LST
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 292A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC010N04LST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014NE2LSIATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N04LSATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS | BSC014N04LSATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC012N06NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC012N06NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC010NE2LSIATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC018NE2LSI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC018NE2LSI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N02KSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N02KSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N06NST
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 257A I(D), 60V, 0.00145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N06NST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC018N04LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC018N04LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC018N04LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC018N04LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC010N04LSCATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 248A I(D), 40V, 0.00135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC010N04LSCATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N06NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 192A I(D), 60V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N06NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N04LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N04LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC017N04NSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC017N04NSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N04NSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N04NSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N02KSGXT/SAMPLE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N02KSGXT/SAMPLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N03LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N03LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC017N04NSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||