Showing 25 of 1812 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0403NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0403NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC046N10NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC046N10NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC047N08NS3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC047N08NS3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC048N025SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC048N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC049N03MSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC049N03MSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042NE7NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 132A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042NE7NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC043N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC043N03LSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC043N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC043N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC040N10NS5
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 | BSC040N10NS5 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-3GA-KBSC-040M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | XR-P111-3GA-KBSC-040M000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJA155J035CBSC045
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 5% +Tol, 5% -Tol, 1.5uF, Surface Mount, 1206, CHIP | TBJA155J035CBSC045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJD475K35CBSC045
Kyocera AVX Components
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1 | CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 35 V, 4.7 uF, SURFACE MOUNT, 2917, CHIP | TBJD475K35CBSC045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-3HA-BBSC-040M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | XR-P111-3HA-BBSC-040M000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJB335M10CBSC045
Kyocera AVX Components
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1 | CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 10 V, 3.3 uF, SURFACE MOUNT, 1411, CHIP | TBJB335M10CBSC045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJD685M50CBSC045
Kyocera AVX Components
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1 | CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 50 V, 6.8 uF, SURFACE MOUNT, 2917, CHIP | TBJD685M50CBSC045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-5JY-KBSC-040M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 5Th Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | XR-P111-5JY-KBSC-040M000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-3EA-EBSC-040M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | XR-P111-3EA-EBSC-040M000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJB225J16CBSC045
Kyocera AVX Components
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1 | CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 16 V, 2.2 uF, SURFACE MOUNT, 1411, CHIP | TBJB225J16CBSC045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-5GA-EBSC-040M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 5Th Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | XR-P111-5GA-EBSC-040M000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-5HB-JBSC-040M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 5Th Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | XR-P111-5HB-JBSC-040M000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJB225J035CBSC045
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 5% +Tol, 5% -Tol, 2.2uF, Surface Mount, 1411, CHIP | TBJB225J035CBSC045 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||