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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC057N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC057N03LSGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N04LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N04LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N03LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N03LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N10NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSC050N10NS5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 114A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N10NS5ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0502NSI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0502NSI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC059N04LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC059N04LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC057N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC057N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC059N03SGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC059N03SGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC059N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC059N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC057N03LSGE8176
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC057N03LSGE8176 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC052N03SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC052N03SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC052N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC052N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC052N08NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC052N08NS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0511NDI
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSC0511NDI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC059N03S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC059N03S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC057N03MSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC057N03MSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N04LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC057N08NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC057N08NS3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC050N03LSGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0501NSI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0501NSI |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC059N04LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC059N04LSG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||