Showing 25 of 16594 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC070N10LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC070N10LS5 |
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BSC079N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC079N10NSGATMA1 |
0
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BSC072N04LDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0072ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC072N04LDATMA1 |
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BSC074N15NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 114A I(D), 150V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC074N15NS5 |
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BSC072N03LDG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.0094ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC072N03LDG |
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BSC074N15NS5ATMA1
Infineon
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1 | OptiMOS™ power MOSFETs in SuperSO8 package | BSC074N15NS5ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC079N10NSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC079N10NSG |
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BSC0703LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0703LS |
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BSC079N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC079N03LSCGATMA1 |
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BSC076N04ND
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0076ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC076N04ND |
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BSC076N06NS3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC076N06NS3GATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC070N10NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC070N10NS5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC076N06NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC076N06NS3GXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.0094ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC072N03LDGATMA1 |
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BSC077N12NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 120V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC077N12NS3GXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBWC155M035CBSC0700
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1.5uF, Surface Mount, 2412, CHIP | TBWC155M035CBSC0700 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBWC476M006CBSC0700
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 6V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Surface Mount, 2412, CHIP | TBWC476M006CBSC0700 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJV227J015LBSC0745
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 16V, 5% +Tol, 5% -Tol, 220uF, Surface Mount, 2924, CHIP | TBJV227J015LBSC0745 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-3SY-FBSC-070M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 70MHz Nom | XR-P111-3SY-FBSC-070M000000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZF226M015LBSC0745
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 15V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, 2214, | TAZF226M015LBSC0745 |
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TBMD477K004LBSC0724
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 4V, 10% +Tol, 10% -Tol, 470uF, 2917, | TBMD477K004LBSC0724 |
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XR-P111-7AB-GBSC-070M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 7Th Overtone Quartz Crystal, 70MHz Nom | XR-P111-7AB-GBSC-070M000000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZB684J020LBSC0724
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 20V, 5% +Tol, 5% -Tol, 0.68uF, 1505, | TAZB684J020LBSC0724 |
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TBJB106J004CBSC0723
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 4V, 5% +Tol, 5% -Tol, 10uF, Surface Mount, 1411, CHIP | TBJB106J004CBSC0723 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XR-P111-7FA-ABSC-070M000000
Microchip Technology Inc
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1 | Parallel - 7Th Overtone Quartz Crystal, 70MHz Nom | XR-P111-7FA-ABSC-070M000000 |
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