Showing 25 of 17352 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC074N15NS5
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 114A I(D), 150V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC074N15NS5 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC079N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC079N10NSGATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC072N03LDG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.0094ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC072N03LDG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC074N15NS5ATMA1
Infineon
|
1 | OptiMOS™ power MOSFETs in SuperSO8 package | BSC074N15NS5ATMA1 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC070N10LS5
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC070N10LS5 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC072N04LDATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0072ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC072N04LDATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC079N10NSG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC079N10NSG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC0703LS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0703LS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC079N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC079N03LSCGATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC076N04ND
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0076ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC076N04ND |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC070N10NS5
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC070N10NS5 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC076N06NS3GATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GXT
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 120V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC077N12NS3GXT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GXT
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC076N06NS3GXT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.0094ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC072N03LDGATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TBJA335J006LBSC0723
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 6V, 5% +Tol, 5% -Tol, 3.3uF, Surface Mount, 1206, CHIP | TBJA335J006LBSC0723 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TBJB685M025JBSC0745
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, 6.8uF, Surface Mount, 1210, CHIP | TBJB685M025JBSC0745 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TAZH336J020CBSC0745
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 20V, 5% +Tol, 5% -Tol, 33uF, 2915, | TAZH336J020CBSC0745 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
XR-P111-5HC-HBSC-070M000000
Microchip Technology Inc
|
1 | Parallel - 5Th Overtone Quartz Crystal, 70MHz Nom | XR-P111-5HC-HBSC-070M000000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TBJE157J006CBSC0723
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 6V, 5% +Tol, 5% -Tol, 150uF, Surface Mount, 2917, CHIP | TBJE157J006CBSC0723 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TAZF106K015LBSC0724
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 15V, 10% +Tol, 10% -Tol, 10uF, 2214, | TAZF106K015LBSC0724 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TAZF107K004LBSC0723
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 4V, 10% +Tol, 10% -Tol, 100uF, 2214, | TAZF107K004LBSC0723 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TAZH156M025CBSC0700
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, 15uF, Surface Mount, 2915, CHIP | TAZH156M025CBSC0700 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TAZB105K020CBSC0745
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 20V, 10% +Tol, 10% -Tol, 1uF, Surface Mount, 1505, CHIP | TAZB105K020CBSC0745 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TBJA225J016CBSC0723
Kyocera AVX Components
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 16V, 5% +Tol, 5% -Tol, 2.2uF, Surface Mount, 1206, CHIP | TBJA225J016CBSC0723 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||