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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC093N15NS5SCATMA1
Infineon
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1 | OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling for enhanced thermal performance | Other | BSC093N15NS5SCATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC090N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC090N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0925NDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0925NDATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0902NSI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0902NSI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0910NDI
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0910NDI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0910NDIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0910NDIATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0908NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 34V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0908NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0996NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 34V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0996NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC096N10LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC096N10LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0901NSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0901NSIATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0923NDI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0923NDI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0902NSXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0902NSXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC094N06LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC094N06LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC090N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC090N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0909NSATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0911NDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0911NDATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0904NSIATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC091N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC091N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0993ND
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSC0993ND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0901NSIXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0901NSIXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC090N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSC090N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0921NDI
Infineon
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1 | Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET | BSC0921NDI |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0924NDIATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0901NSXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0901NSXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0993NDATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0993NDATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||