Showing 25 of 74 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL307SPH6327XTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL302SNL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL302SNL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL302SNH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL302SNH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL308CL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL308CL6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL303SPE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSL303SPE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL307SPH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL307SPH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSL306NL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSL306NL6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1BHBSL303N
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1BHBSL303N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBSL30D-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 200V V(RRM), Silicon | TBSL30D-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1BLBSL302S
Bourns Inc
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1 | Rotary Position Sensor | AMS22B5A1BLBSL302S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1CHBSL302S
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1CHBSL302S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1BLBSL301S
Bourns Inc
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1 | Rotary Position Sensor | AMS22B5A1BLBSL301S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1CLBSL301N
Bourns Inc
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1 | Rotary Position Sensor | AMS22B5A1CLBSL301N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CBSL30B
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | CBSL30B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBSL30G-TP
Micro Commercial Components
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 400V V(RRM), Silicon | TBSL30G-TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1CHBSL302N
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1CHBSL302N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBSL30B-TP
Micro Commercial Components
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 100V V(RRM), Silicon | TBSL30B-TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8743BSL30.000MHZ
The Swatch Group Ltd
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1 | Sine Output Oscillator | 8743BSL30.000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1BHBSL303S
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1BHBSL303S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBSL30K-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 800V V(RRM), Silicon | TBSL30K-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1CHBSL303S
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1CHBSL303S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBSL30J-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon | TBSL30J-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1BHBSL301S
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1BHBSL301S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1BHBSL302N
Bourns Inc
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1 | Hall Effect Sensor, 0.05-4.95V | AMS22B5A1BHBSL302N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AMS22B5A1CLBSL303N
Bourns Inc
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1 | Rotary Position Sensor | AMS22B5A1CLBSL303N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||