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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP324H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP324H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP324E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP324E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP322PL6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SH6433XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SH6433XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP322P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP322P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP327E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP327E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SL6433HTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP321PH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP321PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP324
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP324 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP324L6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP321P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP321P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP321PL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP321PL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SH6433
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SH6433 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP322PL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP322PL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP324E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP324E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320S
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP321PH6327XTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SE6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SE6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP322PH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP322PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SH6327XTSA1/SAMPLE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSP320SH6327XTSA1/SAMPLE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP320SL6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP321PL6327HTSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||