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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0901NSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0901NSATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0909NDXTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0901NSI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0901NSI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0910ND
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSZ0910ND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0909NSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 34V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0909NSATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0910LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0910LS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ097N04LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ097N04LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0909LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0909LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0904NSIXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0904NSIXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ099N06LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 60V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ099N06LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0994NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0994NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0908NDXTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0908NDXTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0907NDXTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0907NDXTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0909ND
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0909ND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ097N04LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ097N04LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0901NSXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0901NSXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0908NDXTMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | BSZ0908NDXTMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0911LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0911LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0908ND
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0908ND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ096N10LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ096N10LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ0904NSIATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBME687J004LBSZ0945
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 4V, 5% +Tol, 5% -Tol, 680uF, Surface Mount, 2917 | TBME687J004LBSZ0945 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJC476M010JBSZ0923
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Surface Mount, 2312, CHIP | TBJC476M010JBSZ0923 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJC106M020LBSZ0923
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 20V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 2412, CHIP | TBJC106M020LBSZ0923 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TBJC107M006CBSZ0945
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 6V, 20% +Tol, 20% -Tol, 100uF, Surface Mount, 2412, CHIP | TBJC107M006CBSZ0945 |
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