Showing 25 of 123 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-200B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK444-200B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-500B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK444-500B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK441-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK441-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-200B,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK444-200B,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK443-50A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK443-50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK445-200A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK445-200A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK445-450B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK445-450B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK443-60B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK443-60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK446-800A127
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 2 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power | BUK446-800A127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK442-60A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK442-60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK445-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK445-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK446-800A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK446-800A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-800B127
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 1.2 A, 800 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power | BUK444-800B127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK445-100B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK445-100B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-800A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK444-800A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-200B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK444-200B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-200A127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK444-200A127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK444-200A,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK444-200A,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK442-100B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK442-100B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK446-1000B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK446-1000B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK445-200A,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK445-200A,127 |
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BUK444-60H
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK444-60H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK445-200A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK445-200A |
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BUK445-60H
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 60V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK445-60H |
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BUK446-800A,127
NXP Semiconductors
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1 | 2A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | BUK446-800A,127 |
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