Showing 25 of 128 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ10S2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10A
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ10A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,23A I(D),TO-220AB | BUZ10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101SL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101SL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102SLE3045A
Rochester Electronics LLC
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1 | 47A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | BUZ102SLE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104SL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104SL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SLE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ103SLE3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100S
Rochester Electronics LLC
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1 | 77A, 55V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | BUZ100S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101SL-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 55V, 0.075ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ101SL-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102S
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102S |
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