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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ21L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ21L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ21-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ21-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ21CHIP
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ21CHIP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ21L-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ21L-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ21-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ21-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ210
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | BUZ210 |
0
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BUZ215-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ211
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ214
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ211
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | BUZ211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ211
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | BUZ211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | BUZ215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ210
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | BUZ210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ216
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ216 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ213
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ210
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | BUZ210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ215
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ211
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | BUZ211 |
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