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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-220MR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1000V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | BUZ50B-220MR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A.MODR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7.5A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50A.MODR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7.5A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50A-220SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-TO220M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50B-TO220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50BSM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50BSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | BUZ50C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50B-E3046 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-220MR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.5A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | BUZ50B-220MR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | BUZ50A-220M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50B-E3045 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50C-E3044 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ50B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-220M
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1000V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | BUZ50B-220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50C-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A-E3045 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50C
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A-220SM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B-220SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50B-220SM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A-220TMR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50A-220TMR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50A.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7.5A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50A.MOD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 1000V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BUZ50B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ50B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ50B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||