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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD12N100
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD12N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD35N30
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD35N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD75N10
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD75N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD68N20
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD68N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD8P50
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD8P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD01N80
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD01N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD01N100
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD01N100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD10P50
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD10P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-IXTD5N100A
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | C-IXTD5N100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-8353H60MC-IXTT2U
Seiko Instruments Inc
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1 | Switching Regulator, 287.5kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO5 | S-8353H60MC-IXTT2U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-8353H60MC-IXTT2G
ABLIC Inc.
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1 | Switching Regulator, Voltage-mode, 0.3A, 287.5kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO5 | S-8353H60MC-IXTT2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-8353H60MC-IXTT2U
ABLIC Inc.
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1 | Switching Regulator, Voltage-mode, 0.3A, 287.5kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO5 | S-8353H60MC-IXTT2U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||