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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-30U
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060S-30U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100P
Ampleon
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | CLF1G0035-100P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035S-100,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-30
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0060S-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-30U
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060-30U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-50
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100P
NXP Semiconductors
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | CLF1G0035-100P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-50,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0035S-50,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100PU
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035S-100PU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-200PU
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-200PU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-30U
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0060-30U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-30U
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0060S-30U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0035-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0035S-100,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-50,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035S-50,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100PU
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0035S-100PU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-50
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0035-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035S-100
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0035S-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0035-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-10U
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060-10U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-30
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0060-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060-30
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CLF1G0060-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-10U
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CLF1G0060S-10U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0035-100,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel | CLF1G0035-100,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ECL-F1G-SERIES
Connor-Winfield
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1 | Micro Peripheral IC | ECL-F1G-SERIES |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||