Showing 25 of 1632 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT1001A
Hirel Systems Ltd
|
1 | Ind,Non-Specified,100uH,15% +Tol,15% -Tol | DMT1001A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H075LE-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H075LE-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFDFQ-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H072LFDFQ-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H015LSS-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H009SK3-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | DMT10H009SK3-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H009LH3
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | DMT10H009LH3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H4M5LPS-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H4M5LPS-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H009SSS-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009SSS-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10U2A
Hirel Systems Ltd
|
1 | Ind,Non-Specified,10uH,15% +Tol,15% -Tol | DMT10U2A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H015SK3-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | DMT10H015SK3-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H009SCG-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009SCG-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H009SCG-7
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009SCG-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10015A
Hirel Systems Ltd
|
1 | General Purpose Inductor, 100uH, 15% | DMT10015A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H9M9SCT
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | DMT10H9M9SCT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H017LPD-13
Diodes Incorporated
|
1 | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | DMT10H017LPD-13 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H052LFDF-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H052LFDF-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LFG-7
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.0235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H015LFG-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H9M9SH3
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | DMT10H9M9SH3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10U8A
Hirel Systems Ltd
|
1 | General Purpose Inductor, 10uH, 15% | DMT10U8A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H025LSS-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H025LSS-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H032LDV-7
Diodes Incorporated
|
1 | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | DMT10H032LDV-7 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H032SFVW-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032SFVW-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H003SPSW-13
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H003SPSW-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H032SDVWQ-7
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032SDVWQ-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DMT10H010L
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
|
1 | N-channel high voltage MOSFET with 100V drain-source voltage, 29.5A continuous drain current at TC=25C, ultralow on-resistance of 8.0mOhm typical at VGS=10V, and fast switching speed in SOP-8 surface mount package. | DMT10H010L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||