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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK1028DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK1028DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ADP-A001
Conquer Electronics Co Ltd
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1 | Electric Fuse, Time Lag Blow, 1A, 250VAC, 35A (IR), Through Hole, 6.3x32mm | ADP-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0384DPA-00-J53
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0161ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0384DPA-00-J53 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0657DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0657DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0391DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0391DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK03M3DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03E5DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel Power MOSFET, WPAK(3F), /Embossed Tape | RJK03E5DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2555DPA-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2555DPA-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0389DPA-00-J53
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0165ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0389DPA-00-J53 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0390DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0390DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03B8DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJK03B8DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03H1DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel Power MOSFET, WPAK(3F), /Embossed Tape | RJK03H1DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0380DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel Power MOSFET, WPAK(3F), /Embossed Tape | RJK0380DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0395DPA-00-J53
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0395DPA-00-J53 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03N4DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK03N4DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0358DPA-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0358DPA-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK1212DPA-00-J53
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 120V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK1212DPA-00-J53 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0395DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJK0395DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0389DPA-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0389DPA-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK1555DPA-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 150V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK1555DPA-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03E6DPA-00-J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJK03E6DPA-00-J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2557DPA-00#J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Nch Single Power Mosfet 250V 17A 128Mohm Wpak, WPAK, /Embossed Tape | RJK2557DPA-00#J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ADP-A005
Conquer Electronics Co Ltd
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1 | Electric Fuse, Time Lag Blow, 5A, 250VAC, 200A (IR), Through Hole, 6.3x32mm | ADP-A005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03M7DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK03M7DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK03M2DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK03M2DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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