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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GHE3/9AT
Vishay Semiconductors
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1 | ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 400V 3A 2PIN SMC - Tape and Reel | ES3GHE3/9AT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GF
Shikues Semiconductor
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1 | 50-600V, 3A, SMAF, 27mg, MIL-STD-750, Method 2026 | ES3GF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GF/ES3GBF
Microdiode Semiconductor (MDD)
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1 | SMD rectifier, 50-600V, 3.0A, low leakage, high surge, 260°C/10s, glass passivated, SMAF. | ES3GF/ES3GBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | Fast Recovery Diode, Case Style : SMB; IAV (A) : 3; VRRM (V) : 400; IFSM (A) : 100; VF (V): 1.25; @IAV (A): 3; IR (µA) TA=25ºC: 10; TRR (nS) : 35 | ES3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GBG
Shikues Semiconductor
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1 | Surface Mount, 50-600V, 3A, Low Profile, Glass Passivated, Superfast Recovery, Lead Free, RoHS Compliant. | ES3GBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GB
Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd
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1 | Surface mount super fast recovery rectifier in DO-214AA package with 3.0A average forward current, reverse voltage ratings from 50V to 600V, and reverse recovery time of 35ns. | ES3GB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3GBF
AK Semiconductor
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1 | Surface mount superfast recovery rectifier with 3A forward current, 50 to 600V reverse voltage, glass passivated junction, low profile SMBF package, and 35ns maximum reverse recovery time. | ES3GBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3G
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), | ES3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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