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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STCESM9.000001
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.000001MHz Nom | FC4STCESM9.000001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4UTFESM96.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 96MHz Nom | FC4UTFESM96.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD15N06LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD15N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STCESM9.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STCESM9.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S50N06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S50N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S50N06LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S50N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STHESM9.000001
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.000001MHz Nom | FC4STHESM9.000001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4UTCESM96.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 96MHz Nom | FC4UTCESM96.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STFESM9.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STFESM9.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S50N06LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S50N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STDESM9.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STDESM9.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STBESM9.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STBESM9.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESM959M224
Gentron Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | ESM959M224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESM952M34
Gentron Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | ESM952M34 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM96
Intersil Corporation
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1 | Transistor | RF1S23N06LESM96 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4UTHESM96.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 96MHz Nom | FC4UTHESM96.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S45N06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S45N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD8P06LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD8P06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD12N06RLESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STFESM9.000001
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.000001MHz Nom | FC4STFESM9.000001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD12N06RLESM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||