Showing 25 of 275 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6303ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6303ND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC633NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 30V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC633NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6303NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6303NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6302P
Rochester Electronics LLC
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1 | 120mA, 25V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6302P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6331L_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Load switch, Fixed, 1 Channel, PDSO6 | FDC6331L_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6321CL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6321CL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6308P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6308P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6322CD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6322CD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC637BNZ
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 30 V MOSFET with 0.030 ohm RDS(on) at 10 V VGS, 6 A continuous drain current, 4.2 nC gate charge, and TSOP-6 package, suitable for high-speed switching and DC/DC converters. | FDC637BNZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6324L
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6, SOT-6 | FDC6324L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC638P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC638P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6327CD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6327CD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6322C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6322C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC633N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 30V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC633N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC638P
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with -4.8 A continuous drain current, 0.049 ohm RDS(on) at VGS = -10 V, 5.1 nC gate charge, suitable for load switch applications, in a TSOP-6 surface-mount package. | FDC638P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC638P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC638P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6320C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6320C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6302PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6302PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC634P-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC634P-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC637AND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC637AND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6333C
Rochester Electronics LLC
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1 | 2500mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6333C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6323L
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6, SOT-6 | FDC6323L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC637AN_NB5E044
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC637AN_NB5E044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6305N
Rochester Electronics LLC
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1 | 2700mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6305N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC633N_NB3E006
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC633N_NB3E006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||