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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0055A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC645N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0055A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC645N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401N
Rochester Electronics LLC
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1 | 3000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6401N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC642P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P
Rochester Electronics LLC
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1 | 4500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SUPERSOT-6 | FDC640P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6420C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0055A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC645ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P-NBAD004A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDC640P-NBAD004A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC640PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6432SH
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6432SH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6401N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6401N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC642P-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC642P_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC642P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC640P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 | FDC642P_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC645N-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDC645N-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6432SH
Rochester Electronics LLC
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1 | 2400mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6432SH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC640P_F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC640P_F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6420CD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6420CD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC642P-F085
onsemi
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1 | P-Channel PowerTrench® MOSFET, -20V, -4A, 100mΩ, SSOT 6L, 3000-REEL, Automotive Qualified | FDC642P-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ0603FDC64M9
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 6.49e+07ohm, 400V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCZ0603FDC64M9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB0603FDC64K9
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 64900ohm, 400V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCB0603FDC64K9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2010FDC64M9
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 6.49e+07ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2010 | HVCG2010FDC64M9 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||