Showing 25 of 65 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6 | FDC6506P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654P_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654P_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC655BN_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC655BN_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC655AND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC655AND84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506P
Rochester Electronics LLC
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1 | 1800mA, 30V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6506P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654P_F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654P_F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC658P
Rochester Electronics LLC
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1 | 4000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC658P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC655ANS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC655ANS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC655BN-F40
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC655BN-F40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654P-NBGT006
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654P-NBGT006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6561AN_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6561AN_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC655BN-F123
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC655BN-F123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506PTR
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6506PTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6506P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506PTR
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6506PTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC658P-NB4E012
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC658P-NB4E012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654P-NBGT007
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654P-NBGT007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6506PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC653N_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC653N_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC654P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC654P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC658P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC658P_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6506P
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | Dual P-Channel 20 V MOSFET in TSOP-6 package, with 4 A continuous drain current, 75 mΩ on-resistance at -4.5 V gate voltage, and 2.7 nC total gate charge, suitable for load and battery switch applications. | FDC6506P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC653N_NB3E005A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC653N_NB3E005A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||