Showing 25 of 154 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8882
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8882 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896_F085
onsemi
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1 | 30V, 94A, 4.7mΩ,l DPAK N-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL | FDD8896_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8874
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.0064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896
Rochester Electronics LLC
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1 | 17A, 30V, 0.068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8870
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8870
Rochester Electronics LLC
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1 | 21A, 30V, 0.0044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8870 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8874_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8874_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8882
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8882 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8896_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8880_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, D2PAK-3 | FDD8880_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8870_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8870_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8874
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8876_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8876_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FDD8896_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8878
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.0185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8896 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512FDD887M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 8.87e+08ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512FDD887M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ0603FDD887K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 887000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCZ0603FDD887K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB0603FDD88M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 88700000ohm, 100V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | HGCB0603FDD88M7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS0805FDD887M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 8.87e+08ohm, 600V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCS0805FDD887M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB2512FDD887M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 887000000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | HGCB2512FDD887M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ0805FDD88M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 8.87e+07ohm, 600V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCZ0805FDD88M7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS0805FDD887K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 887000ohm, 600V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCS0805FDD887K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512FDD887K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 887000ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512FDD887K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2512FDD887M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 8.87e+08ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCG2512FDD887M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||