Showing 25 of 111 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6335N
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6335N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6321C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6321C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6332CD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6332CD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6303N
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | Dual N-Channel 20 V MOSFET in SOT-363 package with RDS(on) of 86 mOhm at VGS = 4.5 V, 110 mOhm at 2.5 V, and 180 mOhm at 1.8 V, suitable for load switch applications. | FDG6303N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6322C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6322C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6323L
onsemi
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1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, 0.27A, MOS, PDSO6 | FDG6323L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6318PZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 500mA, 20V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN | FDG6318PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6302PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6302PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6318P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6318P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6308P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6308P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6318P
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6318P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6301ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6301ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6303N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6303N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6306P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6306P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6313N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6313N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6308PD87Z
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6308PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6308P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6308P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6306P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6306P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6322C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6322C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6313N
Rochester Electronics LLC
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1 | 500mA, 25V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC70-6 | FDG6313N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6342L
onsemi
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1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, PDSO6 | FDG6342L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6316P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6316P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6304PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6304PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6301NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6301NL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG6308P-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDG6308P-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||