Showing 25 of 72 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6898AZ_F085
onsemi
|
1 | 20V, 9.4A,10mΩ, SO-8, Logic Level Dual N-Channel PowerTrench®, SO 8L NB, 5000-TAPE REEL | FDS6898AZ_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6815
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6815 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZF011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6898AZF011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6814D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6814D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6812AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6812AD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892AZL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6892AZL86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLAINT, SOP-8 | FDS6898AZ_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ-SBDP002
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6898AZ-SBDP002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6812A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 6.7A, 20V, 0.22ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDS6812A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6898A_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 9.4A, 20V, 0.014ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDS6898A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6898AZL86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6812AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6812AF011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6875L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6890A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890A_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6815D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6815D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6894A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6894A_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6890AF011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AF011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892AZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6892AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892AZ
Rochester Electronics LLC
|
1 | 7.5A, 20V, 0.018ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDS6892AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6894AZF011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6894AZF011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ-F085
onsemi
|
1 | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 10mΩ, SO 8L NB, 2500-REEL, Automotive Qualified | FDS6898AZ-F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6890AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AL86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875
Rochester Electronics LLC
|
1 | 6A, 20V, 0.03ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 | FDS6875 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6894A
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | FDS6894A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||